第66章 朗科来访，专利战争的序幕

孙明远把笔记本合上，想了想。“同时在三个司法管辖区对三家大公司开战，光是律师费和诉讼保全费用——”

“该花的钱不要省。打赢一个，后面排队和解的会自己找上门。”

孙明远点了点头，拿起东西走了。

接下来一个月发生的事情，让整个存储行业都彻底沸腾了。

朗科以指南针科技为后盾，在中国、美国、日本三地同时发起了专利侵权诉讼。起诉书像连珠炮一样往外发，华旗资讯在深圳中院被追诉，索尼在东京地方法院和美国itc同时收到了传票，宏碁在加州被告上了联邦法院。

这还只是第一波。

第二波紧跟着就来了。金士顿、pny、lexar、三星的存储事业部，一家接一家收到了朗科的律师函。律师函措辞很客气，但态度非常强硬——要么买授权，要么法庭见。

华旗资讯那边反应最激烈，公开发了声明说朗科是“专利流氓”，指南针科技是助纣为虐。扬言要反诉。结果声明发出去还没过一周，深圳中院的第一次庭审朗科就拿出了一套极其完整的证据链，把华旗的侵权事实钉得死死的，华旗的律师无奈当庭申请延期审理。

索尼那边更热闹。美国itc的337调查一旦启动，进口禁令就悬在头上。索尼在美国卖的闪存类产品如果被认定侵权，海关直接扣货——这对索尼的消费电子业务是不可承受的打击。东京那边的诉讼虽然慢，但西村朝日的团队策略很精准，不急着要判决，就是拖着不让索尼舒服。两线作战，索尼的法务部焦头烂额。

宏碁最先扛不住。官司打了不到三个月，对方的法务总监私下联系了孙明远，试探和解条件。

张折给出的条件很清晰：签订全球专利授权协议，按年付授权费，追溯既往的侵权费用另算。

宏碁谈了两轮，最终无奈签了一系列授权协议，花钱消灾。

宏碁签完之后，连锁反应很快就来了。pny和lexar主动找上门谈授权，两家公司不想上法庭。金士顿虽然嘴硬，但也开始通过中间人递话，说愿意坐下来谈。

两个月之内，朗科签下了六份全球专利授权协议，授权费加和解金合计超过八千万美元。

邓国忠给张折打电话的时候，声音都跟以前不一样了。

“张总，这些钱——我们之前想都不敢想。”

“这才刚开始。索尼那边还没结案呢。”

挂了电话，张折让人把成小化接到西安来。

不是聊商务，是聊技术。

成小化到西安的第二天，张折带他去了针头半导体的研发中心。

这是成小化第一次进针头的大门。他一路上没怎么说话，但眼睛一直在看——看走廊两侧的实验室、看洁净车间的观察窗、看工程师工位上的eda软件界面。

松下幸一在会议室等着他们。

张折开门见山：“老松，这位是朗科的cto成小化，闪存领域的专家。今天这个会，讨论一个方向——2d nand。”

松下幸一推了推眼镜，看了成小化一眼，微微点头。

成小化是做闪存产品出身的，对nand闪存芯片的应用端了如指掌，但芯片设计层面不是他的专长。张折把他拉过来，就是要让他从应用端提需求，让针头从设计端给方案。

会开了一个半小时。

成小化把朗科在产品端遇到的技术瓶颈一条条列出来：闪存颗粒的可靠性问题、擦写寿命不够、数据保持力随温度变化波动大、多级单元（mlc）的错误率居高不下。

松下幸一和他的工程师团队逐条分析，给出了针头现有技术框架下的解决思路。

会后，成小化先走了。

张折留下来，关上会议室的门。

“小艾。”

智脑的声音在他脑中响起。

“2d nand这个方向，有没有什么办法能让我们在技术上直接拉开代差？”

小艾沉默了两秒——这在它的处理速度里已经算很长了。

“有两个方案。”

“说。”

“第一，纠错码技术。当前2d nand主流使用bch码做ecc纠错。bch码的算法成熟，但纠错上限低，对闪存的制造精度要求很高——电压分布稍微漂移就会出错，良率直接受影响。”

“替代方案是ldpc码。低密度奇偶校验码的理论早在1962年就由gallager提出了，算法框架是现成的。但目前没有人把ldpc应用到nand闪存的控制器里，原因是计算开销大，现有的嵌入式处理器跑不动。”

“如果我们提前设计一款专用的ldpc解码芯片，或者在闪存控制器里集成ldpc硬件加速模块，就能在2d nand上实现远超bch的纠错能力。”

张折想了想：“具体好处呢？”

“三个。第一，允许闪存芯片在更高的原始误码率下正常工作——换句话说，制造工艺可以不用那么精密，良率能提升百分之十五到二十。第二，同样的工艺条件下，闪存的擦写寿命可以翻倍。第三，mlc和后续的tlc技术的可行性大幅提高，成本下降的速度会比竞争对手快两到三年。”

“第二个方案呢？”

“电荷陷阱型闪存结构。”小艾的语调没有变化，但信息密度明显加大了。

“当前2d nand全部使用浮栅结构存储电荷。浮栅结构的问题是——随着工艺节点缩小，相邻单元之间的干扰越来越严重，这是一个物理层面的硬限制。”

“3d nand之所以能突破这个限制，核心不只是'堆叠层数'，而是它采用了电荷陷阱结构——ctf。在ctf结构里，电荷被存储在氮化硅绝缘层中，而不是浮栅的导体里。这从根本上解决了相邻单元的耦合干扰问题。”

“我的建议是：把ctf的设计理念提前引入2d nand的研发路线。具体来说，在2d平面结构中导入sonos或tanos结构。这不需要等3d堆叠技术成熟，当前的制造设备就能支持。”

“好处呢？”

“短期看，产品的数据可靠性和抗干扰能力会有质的提升，售后故障率下降。长期看，这是通往3d nand的技术桥梁——谁先积累ctf的制造经验，谁就能在3d时代抢到先发位置。而且——”

小艾顿了一下。

“这两个方向涉及的核心技术，目前全球范围内的专利布局几乎是空白的。如果现在注册，未来十年整个nand产业的技术演进路径都绕不开这些专利。”

张折拿出手机，拨了孙明远的号码。

“孙明远，我这边有一批技术方案要做全球专利注册，数量不少，涉及半导体和存储芯片领域。美国、日本、韩国、欧洲，所有主要市场全覆盖。”

“嗯，张总，技术文档大概什么时候可以到位。”

“技术文档三天内给你，你拿到之后立刻启动。先申请，抢优先权日期。”

“明白。”

挂了电话，张折又做了一个安排。

他让松下幸一挑三个最懂制程工艺的工程师，准备一份技术交流提案，内容涵盖ldpc纠错方案和ctf结构的基础设计思路——但只给框架，不给核心细节。

交流的对象是中芯国际。

针头半导体做的是芯片设计，制造端要找代工伙伴。台积电和三星是全球最好的选择，但政治上和战略上都不可控。中芯国际虽然工艺落后一些，但这是国内唯一有潜力在先进制程上追赶的代工厂——而且，跟中芯绑定意味着供应链安全。

闪存芯片的制程要求没有逻辑芯片那么极端。2d nand用的是90纳米的成熟工艺，中芯国际现在的产线改造一下完全吃得下。关键问题是，中芯的工程师对ctf结构和ldpc控制器的制造经验为零——这个就必须得从头教。

张折给松下幸一的指示很明确：技术交流先探路，看看中芯那边的产线条件和工程师水平，能接就接，接不了就再想别的办法。

“我们尽量拿出诚意和态度，中芯那边会是我们的重点合作伙伴。”

松下幸一在电话那头“嗯”了一声，挂了。

朗科的专利战争才刚开局，指南针的律师团队分别针对各个大厂展开围剿，也没有放过那些山寨小厂。也就是在几乎不停歇的专利官司中，那些新入职的大批高材生都在快速成长，逐步上手。为了日后指南针法务部在国际上成功就赫赫威名奠定基础。

针头半导体的技术布局也才刚刚铺开，指南针科技的九个部门还在磨合期。每一件事都是很重要，所有的 事情都被张折安排的井井有条。

虽然所有人都忙的脚不沾地，但只要有正确的方向引导，所有人就能有劲往一处使。